HOME > Presentation > DetailGaN/HfSiOx/PtキャパシタでGaN/HfSiOx界面が電気特性に及ぼす影響前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. September 18, 2019-September 21, 2019.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideIKEDA, NaokiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2019-10-02 03:00:25 +0900Updated at: 2019-10-02 03:00:25 +0900