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著者名Masafumi Hirose, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Erika Maeda, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yoshihiro Irokawa, Hideo Iwai, Hideyuki Yasufuku, Satoshi Kawada, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, Yasuo Koide, Hajime Kiyono.
タイトルInfluence of post-deposition annealing on characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors
掲載誌名Microelectronic Engineering 216 111040
ISSN: 01679317
ESIでのカテゴリ: ENGINEERING
出版社Elsevier BV
発表年2019
言語English
DOIhttps://doi.org/10.1016/j.mee.2019.111040
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