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Influence of post-deposition annealing on characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors

Microelectronic Engineering 216 111040. 2019.

NIMS著者


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    作成時刻: 2019-10-01 03:00:54 +0900更新時刻: 2024-06-04 05:55:43 +0900

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