Al2O3絶縁膜を用いたn-GaN及びn-β-Ga2O3キャパシタの電気特性の比較
(Comparisons of electrical properties of n-GaN and n-β-Ga2O3 capacitors with Al2O3 insulator )
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019年01月24日-2019年01月26日.
NIMS著者
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作成時刻: 2019-10-05 03:00:22 +0900 更新時刻: 2019-10-05 03:00:22 +0900