(TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価
(Evaluation of Al atoms as a function of annealing temperature for (TaC)1-xAlx/HfO2 gate stack)
シリコン材料・デバイス(SDM)研究会. 2012-06-21.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-01-08 04:44:26 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:21:05 +0900