Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける(Ta/Nb)Ox/Al2O3ブロッキング層の界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響
(Influence of the (Ta/Nb)Ox/Al2O3-blocking interface on the flatband voltage shift for Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 charge trap capacitors)
ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理 第20回. 2015年01月29日-2015年01月31日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:17:00 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:02:02 +0900