HfSiOx絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの高耐圧特性
(High breakdown voltage of n-GaN MOS capacitors with HfSiOx insulator)
第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-06-28 16:44:26 +0900更新時刻: 2018-06-28 16:44:26 +0900