Yoshihiro Irokawa; Toshihide Nabatame; Kazuya Yuge; Akira Uedono; Akihiko Ohi; Naoki Ikeda; Yasuo Koide

doi:10.1063/1.5098489

Investigation of Al2O3/GaN interface properties by sub-bandgap photo-assisted capacitance-voltage technique

著者	Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Akira Uedono, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yasuo Koide.
掲載誌名	AIP Advances 9 [8] 085319 ISSN: 21583226 ESIでのカテゴリ: MATERIALS SCIENCE
出版社	AIP Publishing
発表年	2019
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1063/1.5098489
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