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著者名Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Akira Uedono, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yasuo Koide.
タイトルInvestigation of Al2O3/GaN interface properties by sub-bandgap photo-assisted capacitance-voltage technique
掲載誌名AIP Advances 9 8 085319
発表年2019
言語English
DOI10.1063/1.5098489
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