論文の表示
| 著者名 | Kazuya Yuge, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Liwen Sang, Yasuo Koide, Tomoji Ohishi. |
|---|---|
| タイトル | Characteristics of Al2O3/native oxide/n-GaN capacitors by post-metallization annealing |
| 掲載誌名 | Semiconductor Science and Technology 34 [3] 034001 ISSN: 02681242 |
| 発表年 | 2019 |
| 言語 | English |
| ESIでのカテゴリ | |
| DOI | https://doi.org/10.1088/1361-6641/aafdbd |
| この文献をMendeleyにインポート |  |