PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性
(Electrical properties of IGZO-TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method)
応用物理学会春季学術講演会. 2014年03月17日-2014年03月20日.
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作成時刻: 2017-02-14 11:24:04 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:47:56 +0900