ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価
(Characteristics of charge trap flash memory with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer by ALD method)
平成26年度6月度シリコン材料デバイス研究会. 2014-06-19.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:53:03 +0900 更新時刻: 2018-06-05 13:33:29 +0900