HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HfO2ゲート絶縁膜中の酸素がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響(Effect of oxygen in HfO2 gate insulator film on Vfb shift )生田目 俊秀, 原 眞一, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 松木武雄, 由上二郎. 日本金属学会2010年度春期大会. 2010.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 05:42:02 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:41:44 +0900