HOME > Presentation > DetailHfO2ゲート絶縁膜中の酸素がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響(Effect of oxygen in HfO2 gate insulator film on Vfb shift )生田目 俊秀, 原 眞一, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 松木武雄, 由上二郎. 日本金属学会2010年度春期大会. March 28, 2010-March 30, 2010.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideOHI, AkihikoCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 05:42:02 +0900Updated at: 2017-07-10 20:41:44 +0900