ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響
(Influence of Al2O3 and ZrO2 Thicknesses on Leakage Current Properties in DRAM Capacitors with ZrO2/Al2O3/ZrO2 Stacked Structure)
電子デバイス界面テクノロジー研究会−材料・プロセス・デバイス特性. 2016.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:28:18 +0900更新時刻: 2018-06-05 13:51:54 +0900