HOME > Presentation > DetailZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響(Influence of Al2O3 and ZrO2 Thicknesses on Leakage Current Properties in DRAM Capacitors with ZrO2/Al2O3/ZrO2 Stacked Structure)女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. 電子デバイス界面テクノロジー研究会−材料・プロセス・デバイス特性. January 21, 2016-January 23, 2016.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideOHI, AkihikoCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:28:18 +0900Updated at: 2018-06-05 13:51:54 +0900