GaNパワーデバイス用HfAlOx、HfSiOx、AlSiOx、Al2O3及びHfO2 絶縁膜の特性比較
(Comparison of characteristics of HfAlOx, HfSiOx, AlSiOx, Al2O3, and HfO2 gate dielectrics for GaN power devices)
第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020.
NIMS著者
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作成時刻: 2020-09-26 03:00:22 +0900更新時刻: 2020-09-26 03:00:22 +0900