HOME > 口頭発表 > 詳細ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較(Comparison of Characteristics of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD)著者小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 会議名「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第25回）発表年2020言語Japanese
