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ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較
(Comparison of Characteristics of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD)

著者小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志.
会議名「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回)
発表年2020
言語Japanese

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