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ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較
(Comparison of Characteristics of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD)

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回). 2020.

NIMS著者


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    作成時刻 :2020-03-07 03:00:21 +0900 更新時刻 :2020-03-07 03:00:21 +0900

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