HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較(Comparison of Characteristics of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD)小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回). 2020年01月31日-2020年02月01日.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦池田 直樹長田 貴弘塚越 一仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-03-07 03:00:21 +0900 更新時刻: 2020-03-07 03:00:21 +0900