ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較
(Comparison of Characteristics of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD)
「電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第25回）. 2020年01月31日-2020年02月01日.
NIMS著者
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作成時刻: 2020-03-07 03:00:21 +0900 更新時刻: 2020-03-07 03:00:21 +0900