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ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較
(Comparison of Characteristics of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD)
「電子デバイス界面テクノロジー研究会
－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第25回）. January 31, 2020-February 01, 2020.
NIMS author(s)
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Created at: 2020-03-07 03:00:21 +0900 Updated at: 2020-03-07 03:00:21 +0900