GaN/HfSiOx界面でSiO2及びHfO2初期成長層が電気特性へ及ぼす影響
(Influence of SiO2 and HfO2 initial growth layers on electrical properties at GaN/HfSiOx interface)
第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2020-03-17 03:00:21 +0900更新時刻: 2020-03-17 03:00:21 +0900