酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響
(The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors)
The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat. 2012.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 05:02:12 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:20:33 +0900