ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響
(the effect of oxidation and reduction annealing on Vfb in ITO/HfO2 MOS capacitors)
シリコン材料・デバイス研究会. 2011-07-04.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:43:27 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:05:49 +0900