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High-kシード層がHfZrO2膜の強誘電性へ及ぼす影響
(Influence of High-k Seed Layer on Ferroelectricity of HfZrO2 Film)

女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志.
電子デバイス界面テクノロジー研究会 材料・プロセス・デバイス特性. 2017年01月19日-2017年01月21日.

NIMS著者


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    作成時刻: 2017-02-14 10:58:38 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:32:20 +0900

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