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Comparison of tapping mechanism of ZrO2 and (Ta/Nb)x charge trapping layers for charge trap capacitor with high-k multilayers

生田目 俊秀, 女屋 崇, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 栗島 一徳, 小椋厚志, 知京 豊裕.
16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016.

NIMS著者


Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


    作成時刻 :2017-01-08 03:59:20 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:22:23 +0900

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