HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Comparison of tapping mechanism of ZrO2 and (Ta/Nb)x charge trapping layers for charge trap capacitor with high-k multilayers生田目 俊秀, 女屋 崇, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 栗島 一徳, 小椋厚志, 知京 豊裕. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 03:59:20 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:22:23 +0900