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著者名YUGE, Kazuya, NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, Akira Uedono, SANG, Liwen, KOIDE, Yasuo, Tomoji Ohishi.
タイトルAnalysis of deep traps at Al2O3/n-GaN interface using photo-assisted C-V measurement
(光支援C-V法を用いたAl2O3/n-GaN界面ディープトラップの分析)
会議名Solid State Devices and Materials
発表年2018
言語English
外部での文献参照

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