HOME > Presentation > Detail光支援C-V法を用いたAl2O3/n-GaN界面ディープトラップの分析(Analysis of deep traps at Al2O3/n-GaN interface using photo-assisted C-V measurement)弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, 上殿 明良, サン リウエン, 小出 康夫, 大石 知司. Solid State Devices and Materials. 2018.NIMS author(s)YUGE, KazuyaNABATAME, ToshihideIROKAWA, YoshihiroOHI, AkihikoIKEDA, NaokiSANG, LiwenKOIDE, YasuoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-09-27 10:03:39 +0900Updated at: 2018-09-27 10:03:39 +0900