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Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress

栗島 一徳, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志.
IEEE EDTM 2019. 2019年03月13日-2019年03月15日.

NIMS著者

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    作成時刻: 2019-04-02 19:23:15 +0900 更新時刻: 2019-04-02 19:23:15 +0900

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