- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
ＵＶセンサー、ＬＥＤ、太陽電池
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- 角谷 正友. 光熱偏向分光法によるIII-V族窒化物半導体の評価 -非輻射再結合から見た価電子帯構造と欠陥準位-. 日本結晶成長学会誌. (2022) 48-4-02 10.19009/jjacg.48-4-02
- Masatomo Sumiya, Masato Sumita, Yasutaka Tsuda, Tetsuya Sakamoto, Liwen Sang, Yoshitomo Harada, Akitaka Yoshigoe. High reactivity of H2O vapor on GaN surfaces. Science and Technology of Advanced Materials. 23 [1] (2022) 189-198 10.1080/14686996.2022.2052180
- Liwen Sang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Xuelin Yang, Bo Shen. Polarization-induced hole doping for long-wavelength In-rich InGaN solar cells. Applied Physics Letters. 119 [20] (2021) 202103 10.1063/5.0071506
書籍
- Nobuyuki Matsuki, Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Mickael Lozach, Masatomo Sumiy. Transparent Conducting Polymer/Nitride Semiconductor Heterojunction Solar Cells. SOLAR CELLS － NEW ASPECTS AND SOLUTIONS. InTech, 2011, 307-324. 10.5772/20976
会議録
- 角谷 正友. 光熱偏向分光法によるギャップ中準位の評価. 第24回結晶工学セミナー「ワイドギャップ半導体結晶の評価とプロセス技術」ー評価/プロセスからマテリアルの本質に迫るー. (2019) 13-18
- SUMIYA, Masatomo, SANG, Liwen. III-V族窒化物物の光電変換デバイスへの応用. 平成25年度多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 本稿集. (2014) 7-10
- Masatomo Sumiya, Tomohiro Akizuki, Kenji Itaka, Makoto Kubota, Kenta Tsubouchi, Takamasa Ishigaki, Hideomi Koinuma. Effect of hydrogen radical on decomposition of chlorosilane source gases. JOURNAL OF PHYSICS:CONFERENCE SERIES. (2013) 012003-1-012003-6 10.1088/1742-6596/441/1/012003
口頭発表
- 角谷 正友. 光熱偏向分光法によるIII-V 族窒化物半導体の評価. ワイドギャップ半導体学会 第9回研究会. 2022
- SUMIYA, Masatomo, 中野由崇, KOIDE, Yasuo, 本田徹. Evaluation of GaN bulks by photothermal deflection spectroscopy. 第41回電子材料シンポジウム. 2022
- 角谷 正友, 後藤修, 上殿明良, 今中 康貴, 今野泰一郎, 堀切文正, 木村健司, 藤倉序章. AlNテンプレート上にヘテロ成長したInGaN-, GaN-HEMT構造の特性評価. 電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査専門委員会 /https://www.iee.jp/. 2021
その他の文献
- 角谷 正友. 光熱偏向分光による III -V族窒化物の評価. IEICE Technical Report. (2019) 107-110
- SUMIYA, Masatomo, SANG, Liwen. III-V族窒化物物の光電変換デバイスへの応用. 平成25年度多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 本稿集. (2014) 7-10
- SUMIYA, Masatomo, Yoshitaka Naknao. 太陽電池技術の基礎 化合物半導体材料. 新太陽エネルギー利用ハンドブック. (2013) 66-71
特許
- 特許第4505553号 真空プロセス用装置 (2010)
- 特許第4873726号 酸化亜鉛薄膜の形成方法 (2011)
- 特許第5541664号 ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法 (2014)
- 特開2008025017号 真空プロセス用装置 (2008)
- 特開2008244011号 酸化亜鉛薄膜の形成方法 (2008)
- 特開2011082353号 ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法 (2011)