Hfリッチな組成のHfSiOxゲート絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの特性
(Characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics)
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019年01月25日-2019年01月26日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2019-11-06 03:00:28 +0900 更新時刻: 2019-11-06 03:00:28 +0900