Hfリッチな組成のHfSiOxゲート絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの特性
(Characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics)
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019.
NIMS著者
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作成時刻: 2019-11-06 03:00:28 +0900更新時刻: 2019-11-06 03:00:28 +0900