Effect of Ti Scavenging Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition Using Hf/Zr Cocktail Precursor
AVS 21st International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2021) / https://ald2021.avs.org/. 2021年06月27日-2021年06月30日.
NIMS著者
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作成時刻: 2021-09-18 03:00:21 +0900 更新時刻: 2021-09-18 03:00:21 +0900