HOME > 口頭発表 > 詳細ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおける リーク電流特性の改善(Improvement of leakage current properties for DRAM capacitors with ZrO2/Al2O3/ZrO2 stack structure)著者女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. 会議名第63回応用物理学会春季学術講演会発表年2016言語Japanese
