HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおける リーク電流特性の改善(Improvement of leakage current properties for DRAM capacitors with ZrO2/Al2O3/ZrO2 stack structure)女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:02:42 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:20:33 +0900