酸化物TFTのCドープInSiOチャネル材料の研究
(Study of C-doped InSiO as a novel channel material for oxide TFT)
46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2015年12月02日-2015年12月05日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:06:57 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:13:40 +0900