HOME > 口頭発表 > 詳細ゲートバイアスストレスにおけるAl2O3パッシベーション層を用いたAl2O3/In-SI-O-C薄膜トランジスタの信頼性(Reliability of Al2O3/In-Si-O-C thin-film transistors with an Al2O3 passivation layer under gate-bias stress)著者栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. 会議名AiMES 2018発表年2018言語Japanese
