SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 口頭発表 > 詳細

ゲートバイアスストレスにおけるAl2O3パッシベーション層を用いたAl2O3/In-SI-O-C薄膜トランジスタの信頼性
(Reliability of Al2O3/In-Si-O-C thin-film transistors with an Al2O3 passivation layer under gate-bias stress)

著者栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志.
会議名AiMES 2018
発表年2018
言語Japanese

▲ページトップへ移動