HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ゲートバイアスストレスにおけるAl2O3パッシベーション層を用いたAl2O3/In-SI-O-C薄膜トランジスタの信頼性(Reliability of Al2O3/In-Si-O-C thin-film transistors with an Al2O3 passivation layer under gate-bias stress)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. AiMES 2018. 2018年09月30日-2018年10月04日.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁大井 暁彦池田 直樹長田 貴弘Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-04-11 22:38:39 +0900 更新時刻: 2018-06-05 14:19:39 +0900