HOME > 口頭発表 > 書誌詳細High-k/SiO2酸化物のヘテロ界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響(Influence of hetero interface of High-k/SiO2 oxides on Vfb shift)生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. 日本金属学会 2010年秋期大会. 2010年09月25日-2010年09月27日.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:51:12 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:51:36 +0900