Fundamental study on the SiO2 growth mechanism of electronegativity difference of Metal-O in the high-k underlayers by PE-ALD method

HOME > 口頭発表 > 書誌詳細

前田瑛里香, NABATAME, Toshihide, 廣瀨雅史, 井上万里, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, 清野　肇.

ALD2019. 2019年07月21日-2019年07月24日.

作成時刻: 2019-10-05 03:00:19 +0900 更新時刻: 2019-10-05 03:00:19 +0900