Study of SiO2 growth mechanism between a single SiO2 and (HfO2)/(SiO2) nanolaminate formation by ALD using TDMAS and H2O gas
21st International Conference on Atomic Layer Deposition. 2021年06月27日-2021年06月30日.
NIMS著者
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作成時刻: 2021-09-18 03:00:21 +0900 更新時刻: 2021-09-18 03:00:21 +0900