HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Study of SiO2 growth mechanism between a single SiO2 and (HfO2)/(SiO2) nanolaminate formation by ALD using TDMAS and H2O gas生田目 俊秀, 井上 万里, 前田 瑛里香, 女屋 崇, 廣瀨 雅史, 小林 陸, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塚越 一仁. 21st International Conference on Atomic Layer Deposition. 2021.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦池田 直樹塚越 一仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2021-09-18 03:00:21 +0900更新時刻: 2021-09-18 03:00:21 +0900