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Al2O3/TiO2二層構造を用いたフレキシブル抵抗変化型メモリの抵抗スイッチング特性
(Resistive switching characteristics in flexible resistive random access memory with Al2O3/TiO2 bi-layer structure)

生田目 俊秀, 大石 知司, 井上 万里, 高橋 誠, 伊藤 和博, 池田 直樹, 大井 暁彦.
2019年日本金属学会秋期講演大会. 2019.

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    作成時刻 :2019-10-02 03:00:22 +0900 更新時刻 :2019-10-02 03:00:22 +0900

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