上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善
(Improvement in ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers)
第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-01-23 22:08:18 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:17:31 +0900