HOME > 口頭発表 > 詳細上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の向上(Improvement of ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers)著者女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 会議名第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイ発表年2018言語Japanese
