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上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の向上
(Improvement of ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers)

第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイ. 2018.

NIMS著者


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    作成時刻 :2017-11-08 22:03:03 +0900 更新時刻 :2018-06-05 14:14:36 +0900

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