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上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の向上
(Improvement of ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers)
第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイ. 2018.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-11-08 22:03:03 +0900Updated at: 2018-06-05 14:14:36 +0900