HOME > 会議録 > 書誌詳細Mechanism of Vfb shift in HfO2 gate stack by Al diffusion from (TaC)1-xAlx gate electrode((TaC)1-xAlx電極からのAl拡散によるHfO2ゲートスタックにおけるVfbシフトのメカニズム)NABATAME, Toshihide, KIMURA, Masayuki, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, Tomoji Ohishi. ECS TRANSACTIONS 49-59. 2012.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-27 02:09:00 +0900更新時刻: 2017-03-17 04:17:00 +0900