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Influence of post-deposition annealing on interface characteristics at Al2O3/n-GaN

著者YUGE, Kazuya, NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, 上殿 明良, SANG, Liwen, KOIDE, Yasuo, 大石 知司.
会議名 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference
発表年2019
言語English

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