CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響
(Influence of carbon on physical and electrical properties of C-doped InSiO channel)
ゲートスタック研究会. 2015年01月29日-2015年01月31日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:08:57 +0900更新時刻: 2018-06-05 13:40:21 +0900