HOME > 口頭発表 > 書誌詳細CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響(Influence of carbon on physical and electrical properties of C-doped InSiO channel)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. ゲートスタック研究会. 2015.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:08:57 +0900更新時刻: 2018-06-05 13:40:21 +0900