HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ALD法で作製したTa-Nb-O-N絶縁膜の電気特性(The electrical properties of Ta-Nb-O-N gate insulator fabricated by ALD)山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. 日本金属学会2013年度春期講演大会. 2013.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:21:57 +0900 更新時刻 :2017-07-10 21:31:56 +0900