HOME > Presentation > DetailALD法で作製したTa-Nb-O-N絶縁膜の電気特性(The electrical properties of Ta-Nb-O-N gate insulator fabricated by ALD)山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. 日本金属学会2013年度春期講演大会. 2013.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideOHI, AkihikoCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:21:57 +0900Updated at: 2017-07-10 21:31:56 +0900