酸化物薄膜トランジスタにおけるCドープIn-Si-OとIn-Si-Oチャネルの信頼性の比較
(Comparison of reliability between carbon-doped In-Si-O and In-Si-O channel for oxide-TFT)
第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2017.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-09-27 11:29:27 +0900更新時刻: 2018-09-27 11:29:27 +0900