HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HfSiO x 絶縁膜 の GaN パワーデバイス における n GaN/HfSiO x 界面の構造解析前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 堀江 智之, 池田 直樹, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 塩崎宏司, 清野肇. 第2回結晶工学×ISYSE合同研究会. 2019.NIMS著者生田目 俊秀池田 直樹大井 暁彦Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-12-06 03:00:21 +0900更新時刻: 2019-12-06 03:00:21 +0900
