HOME > Presentation > DetailHfSiO x 絶縁膜 の GaN パワーデバイス における n GaN/HfSiO x 界面の構造解析前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 堀江 智之, 池田 直樹, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 塩崎宏司, 清野肇. 第2回結晶工学×ISYSE合同研究会. 2019-11-20.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideIKEDA, NaokiOHI, AkihikoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2019-12-06 03:00:21 +0900Updated at: 2019-12-06 03:00:21 +0900