PE-ALD法により作製したRuO2を下部電極に用いたTiO2/Al2O3/TiO2キャパシターの特性
(Characteristic of TiO2/Al2O3/TiO2 capacitors with plasma-enhanced ALD RuO2 bottom electrode for DRAM)
IWDTF 2015. 2015.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:46:43 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:13:25 +0900