HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films fabricated using TiN stressor layer and ZrO2 nucleation layerONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, 澤本直美, 栗島一徳, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋厚志. AiMES 2018. 2018.NIMS著者生田目 俊秀大井 暁彦池田 直樹長田 貴弘Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2019-03-04 09:36:12 +0900 更新時刻 :2019-03-04 09:36:12 +0900