HOME > 口頭発表 > 書誌詳細2元スパッタリング法で作製したInSiO系チャネル材料の電気特性(Electrical characteristics of InSiO-based channel materials by co-sputtering method)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015年03月11日-2015年03月14日.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:18:12 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:04:29 +0900