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PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
(Electrical properties of GIZO TFT with ultrathin Al2O3 insulators by PE-ALD method)

栗島 一徳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志.
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) . 2015.

NIMS著者


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    作成時刻: 2017-01-08 03:34:09 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:08:11 +0900

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