PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
(Electrical properties of GIZO TFT with ultrathin Al2O3 insulators by PE-ALD method)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) . 2015-06-19.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:34:09 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:08:11 +0900